那会个深奥些的问题新的问题胡一亭都耐心，大家都觉得既然一个算丢人议室里气氛热烈起来也不解答，Ｍ更吧。Ｘ２３ＵＳ．ＣＯ曹玉暖的连续提问让最快博士实习生提出自己提一两

个耐心作答。毫不厌倦，一一一亭对问下大家也变得放松此在这种心态也都题接踵而至，胡起来，一个

的技术底蕴和知识景已经不能用成熟来白，胡一亭十多个问题以后，众人深度有了直观认识，大家终背在回答了二以称得上博大精深可对胡一亭的技术于明形容，简直！

问题举重于国内自己见过的所成光所实验么多理解，可以说高种水平完全可以媲美西方顶级半导体马佳光所长在会议桌若轻，对科学家的程度，没有十备的地听着，心中惊异莫他对与芯名，一系列几年的制程来，这么多技术案例信手拈，根本不可能对这首旁安静问题之后，他清席认识到，胡一亭这楚地制程工艺的掌握和对制片设计功底程设有专家！室

释啊……”是这样的吗？他才1“天才难道就8岁的时8岁啊……我1嘛呢……难道胡验室里泡大的不小就在半导体实成？实在是无法解一亭是从候在干

�告一段落，燥，眼看。胡一亭说的口干着大家的问题舌继续翻动自己做的便低下头

明的一个新技术“嗯，接下大家讲一下，这是我发。”来我给

学家和工程师们立刻竖一丝信息。起了耳朵，生怕漏过，在座的科要诞生了一听说又有新技术

位越来越重要而是正在不断加速前prom性存储器的地以后，出现了挥发性存生胡一亭指没有丝毫裹足不前，之后，国际上的存储半我做的关础的可擦除只读存储。术发展的一个路线进，其中非挥发到，器e图，大家可以看于存储器技着投影屏幕道从存储器诞，从197储器和非挥发性存储器：“这是导体技术并晶硅栅为基0年诞生了以浮空多

可擦除eepro渐退出市场。它的替代电路中灵m，从此存储活息，这样使用很所编程。有eprom需要从紫器信物是后来出现的电不方便，目前已经逐外光下进行擦除，且每就实现了在次擦除都完全抹去系统上取下后暴露于

基础上，又发展出了快的厂商都试图在这一领y技术⣍一股潮流，科memoremory可以允许同时擦除全部阵发，国际上已经形成了能操prom，flas西方各大存储器flash突破。技界息，因列单元的存储信只此目前围绕flemory，比起每次好，作单字节擦除的ee件的未来非常看对于这一器�域取得技术之后在eeprom的开闪𗭛뀵

面积大难度很高，在制程线宽上做文目前来说，，因为芯片面积想要做闪存做的更大小的闪存颗只有不断不来，所以只有采是陡峭的，非常划国际上认为，上升曲线用最先进的增加带来的成本粒章，才能把大存储单元。上集成更多的线宽才能在同样

芯片的容才能翻翻，也就是说闪存要18个月，制程线宽的提升是很慢的，按照摩定律锁住了。尔定律的升级速量被摩尔度，晶体管数量但是我们应该明白

这是不可以接受的！

至少对于我们这些！我们决的人来受的捆住手脚。”不能被摩尔定律说是无法接搞技术

花来，晶体挑战摩尔定律，这也还是那么多，怎么做出可把设计愣住了，心说你此言一出，大家都就说的太离谱胡一亭是牛，这我们承了，不提的前提下，你就是认，可你能提高存储容量呢？大话可要高线宽管数量

知道大家的困惑，继续道的就是我思考出的一技术。”有胡一亭种突破闪存容量限上的，我今天要介绍的新：“其实方法是

有三种，一种前国际上有些专家ppt图片，“目种是单电子是质子非挥发性是纳米存储器；第三也对此阐述过存储器。一第二种些技术，我总结下来存储器；胡一亭切换

料学还是内看不到商业应不靠谱，至少三十年目前都是科幻小说，这些用的前景通了，大面积的工程制造，所以我们才管验证可存储性能，或里纵，这都可以，但一应用者用一两个碳纳米做不出来就等于白说者用精密仪质子存储实验，或到工程上就行不，因为无论从材的是，这些都器实现单电。”能实现的技术，实子都不知道要用我想说验室里进行少量晶体管，现在谁备和工艺去进行大规模操怎样的设从工程学角度不要去考虑这些概念

栅结构，发展俘获原理，通过改进mory与普通逻辑工艺相电荷胡一亭继半技术上进行发导体器传统的浮兼容的新技展，继续依靠术。续在flash-me目前我们能做的只有继件的续切换ppt，“

�e而传统fl�level-cell，简�我称之为single�我个人这ell，术，我称之为mul􈲷次简称称mlc，-memor-发明的这种新技。y闪存工艺

统slc是单层式技术是多层式存储。存储顾名思”，而我发明的mlc义，这两者区别在于传

来，大家的兴趣完全被他调动起胡一亭说完，来。起整个会议室骚动

竟是怎么回事？是不是赵赫激动“这要怎么搞？”道：把两个芯片叠在一起做胡总，这个多层存储究封装？

加封装只能增更加昂c构造是两码事。样，pop叠层贵，存成本，两片颗粒叠我这价格也只会加单芯片容量而已，胡一亭笑道：“别急别封装工急，但不是你想的那降低闪和我说的ml就说”艺并不能，

。造的特点来出的说着胡一简图亭切了一张自制的pt，开始对介绍起mlc构p着自己昨晚鬼画符般做

三层绝目的，“大家看啊，这个多晶密度，可以捕获电子，达带电就隧穿氧化层、氮化硅、的电子陷阱障氧化层，其中是膜硅栅下面是缘薄膜，这三层薄是常识了。屏是0，这分别氮化硅具有极高是1，不带电就到存储电荷的

这样就完成了入操作时，采用热电化硅，消除电荷，就子子注空穴注入沟道边缘的氮是空穴，我们除时，利用价带载流子，一种是电子在对单元进行写中有两种注入法，将热电入沟道边缘的氮化硅，，一种都知道半导体我们写入过程。在作擦完成了擦除。间的空穴，将

一能被注入并接下来我1，一现四种情况，一种是10，于memory容是我们就在不进说关一来，两侧沟沟道其中让现有的flash-量增加了一种是0电只1，全部不带电就是0限制在沟道边缘，这样道一旦全部带电子效应键点，一旦把两侧产生的进行单独”侧倍！擦除，就会出0，可我们大家看图，由就是1于氮化硅的绝缘性，热电子行复杂工艺改变的前提下，

家工程师们先是面面相有人开始解释完之后，会议室里安，最后全都开始叫胡一亭对着图片鼓掌。着便开始坐立不好称赞觑，随即手足无措，接一片哗然，科学起来，甚至

神！我们得其中赵赫更失去了理智论文申请专利赶紧实验！赶紧写，急忙道：这可是专利啊！是重光的专利啊是欢喜的抓耳挠腮，他已经了，你这是怎么想出来的！被胡一亭勾引的“胡总你太！”

我就知道你是最棒行！这个路的！”你的设想太完美了！我没人想到呢！掌：“胡一亭你真是天才！曹玉暖也欢喜的鼓起了子怎么以前就觉得可行！真的可

术推向tlc和直入电荷技术彻底统治mlc闪存专劲多电计，自己不过人牙慧罢了。而且今后存产品中的设�列saifu压控制栅极多层注在ᙻ胡一亭看着大家的兴奋到把闪存技，自己还将拿出另一种，心想这哪是我n公司搞出来的出来的啊，这是以色专利，同时是拾正式公布并申请年9月nand制程！的mcl产品想lsh技术，被英特尔应用到他们的闪利市场，sonos-fa

怎么读取呢？”这时奚单位，比以前下来，我有个问题，可以承载四个信息你这么一搞，的确让一个存储龙山突翻了一倍，可接然开口问道：“胡总

片lc的芯，工程流片！”这款mlc进行第一次根据我的初步设计，设计晚月底，我们就对来，下周就能进行制的设计.设定为11起来：“这四种情况的设计改良完成，本程工艺流程可以把0这款芯片的初步并解析数据就行电路设计我体的解码周我已经把slc芯片一亭笑了是不同的呀，我们只为10，设定为01我已经胸有成竹，上取电压胡设计拿出，最周我就把这款m已经有了腹稿，要设计出一套解码，5.5v到6v设定为00，具，2.5v-4v设定电路，用于读

板：“我告诉大家！重我们得以摆脱目前际闪存费！并很有可能过来赚他们的钱光将成为世界上第一业！重光的专利国芝的闪英特尔和东，高高举lc技术的闪存设计企反家采用m存专利束缚，抵消我们！”技术联盟的专利！而这项专利必将让将永载史册起右手指着天花说完胡一亭意气风发所受的需缴纳给

的合不拢嘴，上唇哆轻声感也……”奚龙山惊讶慨道：“胡总……真嗦着，神人